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MDD5N50D
500V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低RDS(on)。低栅极电荷。100% UIS测试。符合RoHS标准。应用：电子镇流器。开关电源
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD5N50D
- 商品编号
- C45990957
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 537.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 输出电容(Coss) | 80.3pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 便携式应用的负载开关