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FDY102PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.83A 停产
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- 描述
- 此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 rDS(on)@VGS = –1.5 V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY102PZ
- 商品编号
- C467787
- 商品封装
- SC-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 830mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单P沟道MOSFET采用仙童半导体（Fairchild Semiconductor）先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化VGS = -1.5 V时的rDS(on)。
商品特性
- VGS = -4.5 V、ID = -0.83 A时,最大rDS(on) = 0.5 Ω
- VGS = -2.5 V、ID = -0.70 A时,最大rDS(on) = 0.7 Ω
- VGS = -1.8 V、ID = -0.43 A时,最大rDS(on) = 1.2 Ω
- VGS = -1.5 V、ID = -0.36 A时,最大rDS(on) = 1.8 Ω
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 = 1400 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池组
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