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MMDT5401-7-F
PNP 电流:200mA 电压:150V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 有互补NPN类型。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMDT5401-7-F
- 商品编号
- C460236
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@10mA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 有互补NPN型（MMDT5551）
- 非常适合中功率放大和开关应用
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的型号（MMDT5401Q），具体信息见单独的数据手册