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IRF200P222实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF200P222

1个N沟道 耐压:200V 电流:182A 停产

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。 无铅;符合RoHS标准;无卤素。应用:UPS和逆变器应用。 半桥和全桥拓扑
商品型号
IRF200P222
商品编号
C459943
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)182A
导通电阻(RDS(on))6.6mΩ@10V,82A
耗散功率(Pd)556W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)203nC@10V
输入电容(Ciss)9.82nF
反向传输电容(Crss)6.5pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性
  • 全特性化的电容和雪崩安全工作区
  • 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
  • 无铅;符合 RoHS 标准;无卤

应用领域

  • 不间断电源(UPS)和逆变器应用
    • 半桥和全桥拓扑
    • 谐振模式电源
  • DC/DC 和 AC/DC 转换器
    • 或门和冗余电源开关
  • 有刷和无刷直流(BLDC)电机驱动应用
    • 电池供电电路

数据手册PDF