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IRF520NSTRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:9.7A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF520NSTRLPBF
- 商品编号
- C459968
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |