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IRF200B211
1个N沟道 耐压:200V 电流:12A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF200B211
- 商品编号
- C459942
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,7.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容和雪崩安全工作区 (SOA)
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅*、符合 RoHS 标准、无卤素
应用领域
- 有刷电机驱动应用-无刷直流 (BLDC) 电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器