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NCP1392BDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP1392BDR2G

内置振荡器的高压半桥驱动器

描述
NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器,主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术,该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器,可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间,有助于降低击穿电流。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP1392BDR2G
商品编号
C457690
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)500mA
属性参数值
工作电压10V~12V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
特性欠压保护(UVP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)2.2uA

商品概述

NCP1392B/D是一款自振荡高压MOSFET驱动器,主要适用于采用半桥拓扑的应用。由于采用了专有的高压技术,该驱动器可承受高达600 V的母线电压。通过单个电阻,驱动器的工作频率可在25 kHz至480 kHz之间调节。可调欠压保护功能确保母线电压在正确的工作范围内。内部100 ms或12.6 ms的PFC延迟定时器可保证在母线电压完全稳定时,下游主转换器才开启。该器件提供固定死区时间,有助于降低直通电流。

商品特性

  • 宽工作频率范围 - 25 kHz至480 kHz
  • 最小频率调节精度 ± 3%
  • 固定死区时间 - 0.6 μs或0.3 μs
  • 可调欠压保护,便于简单的PFC搭配
  • 100 ms或12.6 ms的PFC延迟定时器
  • 非锁存使能输入
  • 内部16 V VCC钳位
  • 50 μA的低启动电流
  • 1 A / 0.5 A峰值灌/拉电流驱动能力
  • 可承受高达600 V的母线电压
  • 内部温度关断功能
  • SOIC - 8封装
  • 这些器件为无铅产品

应用领域

  • 平板显示器电源转换器
  • 低成本谐振开关电源
  • 笔记本电脑用高功率AC/DC适配器
  • 离线电池充电器
  • 灯镇流器

数据手册PDF