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IGLT65R055D2ATMA1
IGLT65R055D2ATMA1
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- 描述
- 氮化镓 (GaN) 晶体管，专为 650 V 功率转换而设计。它能实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形。采用 200 mm（8 英寸）晶圆技术和全自动化生产线生产，具有较窄的生产公差和较高的产品质量。适用于从消费电子到工业应用等广泛领域。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGLT65R055D2ATMA1
- 商品编号
- C43313402
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ |