温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGOT65R025D2AUMA1
高效氮化镓（GaN）晶体管，适用于电源转换，具备窄生产公差和高品质
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGOT65R025D2AUMA1
- 商品编号
- C43313409
- 商品封装
- DSO-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 耗散功率(Pd) | 184W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.025Ω |
商品概述
英飞凌的CoolGaN™是一款高效的氮化镓（GaN）晶体管，专为650V功率转换设计。它能够实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形。该晶体管采用200mm（8英寸）晶圆技术和全自动化生产线生产，具有窄生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用的广泛领域。
商品特性
- 增强型晶体管
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极和输出电荷
- 出色的换向耐用性
- 2kV HBM ESD标准
应用领域
基于半桥硬开关和软开关拓扑（如图腾柱PFC和高频LLC）的工业、电信、数据中心开关电源，以及充电器和适配器。