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IGLT65R035D2ATMA1
增强型高效率氮化镓功率晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGLT65R035D2ATMA1
- 商品编号
- C43313401
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 耗散功率(Pd) | 154W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 91pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ |
商品概述
CoolGaN是一种高效的氮化镓晶体管，专为650 V功率转换而设计。它能够实现更高的功率密度，有助于降低系统物料清单成本，并促进小型化的外形设计。该产品采用200毫米晶圆技术和全自动化生产线制造，具有严格的生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用的广泛领域。
商品特性
- 增强型晶体管
- 超快开关速度
- 无反向恢复电荷
- 支持反向导通
- 低栅极电荷和输出电荷
- 优异的换向鲁棒性
- 符合2 kV HBM ESD标准
应用领域
- 工业、电信、数据中心开关电源
- 充电器与适配器