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IGB110S10S1XTMA1
高速高效率氮化镓晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGB110S10S1XTMA1
- 商品编号
- C43313312
- 商品封装
- PG-TSON-4-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203774克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ |
商品概述
CoolGaN 晶体管采用 100V G3T M 技术，具备超快开关速度和高效率，采用节省空间且高度坚固的封装，无反向恢复电荷，具有超低栅极电荷和输出电荷，芯片顶部外露以实现卓越的顶部散热，湿度等级为 MSL1，采用工业级 3×3 封装。产品已根据 JEDEC 标准针对工业应用完成全面认证。
商品特性
- 超快开关和高效率
- 节省空间且高度坚固的封装
- 无反向恢复电荷
- 超低栅极电荷和输出电荷
- 芯片顶部外露以实现卓越的顶部散热
- 湿度等级 MSL1
- 工业级 3×3 封装
应用领域
- 电信与数据中心 48V IBC
- AC-DC 和 DC-DC 转换器的同步整流
- 机器人与无人机
- 电池供电工具
- 48V 伺服驱动
- 电动交通与无人机
- D 类音频
- 太阳能与储能系统
- 负载点转换器