温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGI65D1414A3MSXUMA1
GaN半桥晶体管，超快开关、无反向恢复电荷、可反向导通、低栅极电荷和输出电荷
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- 商品编号
- C43313390
- 商品封装
- TIQFN-32(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.31pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |
商品概述
IGI65D1414A3MS在一个6×8mm的QFN - 32小封装中集成了一个半桥功率级，该功率级由两个140mΩ（典型导通电阻Rdson）/ 650V增强型CoolGaN HEMT组成。在中低功率领域（如图1所示的示例应用），它非常适合利用CoolGaN HEMT卓越的开关特性，支持高密度AC/DC充电器和适配器的设计。英飞凌的CoolGaN及相关功率开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时，始终能保证最小导通电阻Rdson。由于GaN特有的低阈值电压和快速开关瞬态，在某些应用中需要负栅极驱动电压，以实现快速关断并避免交叉导通效应。这可以通过驱动器和开关之间众所周知的RC接口来实现。几个外部贴片电阻和电容可以轻松适应不同的功率拓扑。
商品特性
- 半桥配置中的两个140mΩ GaN开关
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 开尔文源极连接
- 热增强型6×8mm QFN - 32封装
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 充电器和适配器
- 低功率电机驱动
- LED照明