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VNN3NV04PTR-E
全自保护功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNN3NV04PTR-E
- 商品编号
- C443999
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 上升时间(tr) | 250ns | |
| 下降时间(tf) | 250ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 过流保护；过热保护；过压保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 100uA |
商品概述
VNN3NV04P-E、VNS3NV04P-E 是采用 VIPower M0-3 技术设计的单片器件，旨在用于从直流到 50 kHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 直接连接功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令，与标准功率 MOSFET 兼容
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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