温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XRS120N20T
N沟道 200V 120A
- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 Excellent package for heat dissipation。 High density cell design for low RDS(ON)。应用：DC-DC Converters。 Power management functions
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS120N20T
- 商品编号
- C42457111
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.887克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.268nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用