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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XRS120N20H

N沟道200V快速开关MOSFET

品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS120N20H
商品编号
C42457110
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))10.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)357W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)74nC@10V
输入电容(Ciss)5.268nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

-DC-DC转换器-电源管理功能-同步整流应用

数据手册PDF