XR4953B
双P沟道,20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。满足RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS保证和全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4953B
- 商品编号
- C42456929
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 503pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交9单

