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XR30K02D
双P沟道20V MOSFET
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30K02D
- 商品编号
- C42456932
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |