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XR60P03D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR60P03D

P沟道 30V 55A

描述
是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有完整功能可靠性。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR60P03D
商品编号
C42456939
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.111835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.396nF
反向传输电容(Crss)283pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)325pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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    (5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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