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XR40P03D
P沟道，30V快速开关MOSFET
- 描述
- XR40P03D是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。XR40P03D符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具有全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR40P03D
- 商品编号
- C42456941
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
XR30K02D是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。XR30K02D符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术