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XR4435B
P沟道，30V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4435B
- 商品编号
- C42456951
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
XR4953C是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR4953C符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关