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XR50P03
P沟道，30V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR50P03
- 商品编号
- C42456970
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
XR50P03是高性能的细沟道间距MOSFET,具备极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷性能。 XR50P03符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术