温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR4803A
P沟道 30V 5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是高细胞密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品标准。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4803A
- 商品编号
- C42456981
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
XR4803A 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR4803A 符合 RoHS 标准且为绿色环保产品。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术