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XR150P04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR150P04

P沟道,40V快速开关MOSFET

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描述
高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩能量,具备完整的功能可靠性认证。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR150P04
商品编号
C42457001
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4704克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)200W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)195nC@20V
输入电容(Ciss)10.733nF@20V
反向传输电容(Crss)697pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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