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XR150P04G
P沟道，40V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR150P04G
- 商品编号
- C42457002
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.733nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 697pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR10P06K是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR10P06K符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术