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XR1P10
P沟道100V快速开关MOSFET
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR1P10
- 商品编号
- C42457019
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,0.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
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