温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XRS25V06D
双N沟道60V MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS25V06D
- 商品编号
- C42457042
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 738pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
XR25P10是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR25P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用