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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XRS160N06G

N沟道60V快速开关MOSFET

描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS160N06G
商品编号
C42457053
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ
耗散功率(Pd)113W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)74.37nC@30V
输入电容(Ciss)4.61nF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

XR10P10是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR10P10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF