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XR8P10
P沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 高细胞密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8P10
- 商品编号
- C42457028
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.199nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33.8pF |
商品概述
XR8P10是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR8P10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有EAS(雪崩耐量),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有EAS
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术