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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR2P15D

P沟道150V快速开关MOSFET

描述
特性:先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。应用:负载开关。 电源管理
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR2P15D
商品编号
C42457032
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.10015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)2.2A
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V
耗散功率(Pd)7.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)10.8nC@75V
输入电容(Ciss)706pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

XR40P10是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR40P10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证通过易感性评估(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 先进沟槽MOS技术
  • 100%保证EAS(能量雪崩安全)
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理
  • LED背光
  • 网络应用

数据手册PDF