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XR10P06
P沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，100%保证雪崩耐量（EAS）。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR10P06
- 商品编号
- C42457013
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4716克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR10P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR10P06符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术