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XR3139
P沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高细胞密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合 RoHS 和绿色产品要求，具备全功能可靠性认证。ESD 等级：2000V HBM。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3139
- 商品编号
- C42456919
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
XR3139是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。 XR3139符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。 静电放电(ESD)等级:2000V人体模型(HBM)
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术