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AOD403-GK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD403-GK

1个P沟道 耐压:30V 电流:70A

描述
AOD403是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。AOD403符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备完整的功能可靠性。
商品型号
AOD403-GK
商品编号
C42456339
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4636克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))5.4mΩ
耗散功率(Pd)31.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)4.32nF
反向传输电容(Crss)487pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

AOD403是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。AOD403符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS保证,且通过全功能可靠性认证。

商品特性

  • 100% EAS保证
  • 提供绿色环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF