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FDV303N-GK
1个N沟道 耐压:30V 电流:1A
- 描述
- 特性：快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用：低端负载开关。 电平转换电路
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- FDV303N-GK
- 商品编号
- C42456341
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 650pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 37pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：1200V
- 漏极电流（ID）：43A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）：59 mΩ
- 封装：TO-247-3