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FDV303N-GK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDV303N-GK

1个N沟道 耐压:30V 电流:1A

描述
特性:快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用:低端负载开关。 电平转换电路
商品型号
FDV303N-GK
商品编号
C42456341
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)715mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)650pC@4.5V
输入电容(Ciss)37pF
反向传输电容(Crss)5.4pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 快速开关
  • 低导通电阻RDS(ON)
  • 沟槽MOSFET技术
  • 这是一款无铅器件
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。

应用领域

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • DC-DC转换器
  • 便携式应用,如数码相机、个人数字助理、手机等。

数据手册PDF