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AO3418A
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.8A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- AO3418A
- 商品编号
- C42456352
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
JSM5N10M是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低线路功率损耗。
商品特性
- 100V/5.0A，RDS(ON) = 220mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 100V/2.5A，RDS(ON) = 280mΩ（典型值）@VGS = 2.5V
- 超高压设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
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