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40P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
- 描述
- 40P04是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 40P04
- 商品编号
- C42457472
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V；14.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 40P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 40P04符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
应用领域
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- -40V漏源击穿电压（V DSS）
- -40A漏极电流（I D）
- 导通电阻（RDS(ON)）10.5Ω
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