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PTN7530实物图
  • PTN7530商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTN7530

N沟道 30V 30A

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描述
特性:低导通电阻 (RDS(on)) 。 4.5V逻辑电平。 5V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用:高端负载开关。 电池开关
品牌名称
HT(金誉)
商品型号
PTN7530
商品编号
C42457693
商品封装
PDFN3333​
包装方式
编带
商品毛重
0.09844克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)24W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)970pF
反向传输电容(Crss)113pF
类型N沟道
输出电容(Coss)197pF

商品概述

AON7534-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻(RDS(ON))。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON7534-ES为无铅产品。

商品特性

  • 在4.5V逻辑电平下具有低RDS(ON)
  • 5V逻辑电平控制
  • PDFN3333贴片封装

应用领域

  • 高端负载开关
  • 电池开关
  • 专为便携式产品的电源管理应用优化,如航模、移动电源、无刷电机、主板等

数据手册PDF