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PTN7530
N沟道 30V 30A
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- 描述
- 特性：低导通电阻 (RDS(on)) 。 4.5V逻辑电平。 5V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTN7530
- 商品编号
- C42457693
- 商品封装
- PDFN3333
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09844克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
商品概述
AON7534-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON7534-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 4.0 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 7.4 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换