嘉立创上市
购物车0
AON7544-GK实物图
  • AON7544-GK商品缩略图
  • AON7544-GK商品缩略图
  • AON7544-GK商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AON7544-GK

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

描述
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩能量耐量(EAS),并通过全功能可靠性认证。
商品型号
AON7544-GK
商品编号
C42456332
商品封装
PDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.09404克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)282pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)326pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF