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AON7544-GK
30V 100A
- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- AON7544-GK
- 商品编号
- C42456332
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AON7544是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 AON7544符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量(EAS)保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 100% 保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术