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DOP60P06

P沟道MOSFET

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描述
P管/-60V/-60A/20mΩ/(典型16.5mΩ)
商品型号
DOP60P06
商品编号
C42441856
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.6998克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)114nC@10V
输入电容(Ciss)4.399nF
反向传输电容(Crss)211pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)258pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF