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DOP60P06
P沟道MOSFET
- 描述
- P管/-60V/-60A/20mΩ/(典型16.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP60P06
- 商品编号
- C42441856
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6998克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON) 。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60 V,ID = -60 A,RDS(ON) < 20 m Ω(VGS = -10 V时,典型值为 16.5 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。