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DOPF8N65
采用先进技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/650V/8A/1300mΩ/(典型1100mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOPF8N65
- 商品编号
- C42441863
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2723克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 997.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94.5pF |
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