温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOPF50N10-L
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SGT工艺/N管/100V/50A/7.5mΩ/(典型6.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOPF50N10-L
- 商品编号
- C42441869
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.289nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 50 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ(典型值:6.8 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。
相似推荐
其他推荐