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DOP40P10
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-100V/-40A/55mΩ/(典型40mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP40P10
- 商品编号
- C42441858
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7257克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -100 V,ID = -40 A,RDS(ON) < 55 m Ω(在 VGS = -10 V 时,典型值为 40 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低的RDS(ON)。
- 出色的封装,具备良好的散热性能。