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SI2301CDS-T1-GE3-CN
-20V P沟道增强型MOS场效应晶体管
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-GE3-CN
- 商品编号
- C42436845
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V；86mΩ@4.5V；165mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
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