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BCD80N06
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特征和功能：低导通电阻、优异的开关性能和高雪崩能量 应用：消费电子电源、电机控制、UPS、DC/CD转换器等
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCD80N06
- 商品编号
- C3874038
- 商品封装
- TO-252-4R
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品特性
- 60V、80A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
- 先进沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理