BCD90N03
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性:30V, 90A,RDS(ON) < 4.5mΩ @ VGS = 10V,RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS = 4.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品。应用:负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCD90N03
- 商品编号
- C3874040
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WsF70N10D采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性,适用于多种应用场景。
商品特性
- 30V、90A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 4.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 9.5 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
- BCD4N65
- BCT4N65
- BCD7N65
- BCT12N65
- BCT20N65
- TPS92520QDADRQ1
- PSCI-3PP-05
- PSC360G2-F1A-C0024-ERA120-05K
- PSC360G2-F1A-C0024-ERA120-REK
- PST360G2-1A-C0011-ERA090-REK
- PSC360G2-F1A-C0011-ERA090-REK
- PSC360G2-F1A-C0007-ERA180-REK
- MSC360-1A-C0022-ERA090-05K
- PSC360G2-F1A-C0150-ERA070-REK
- PSC360G2-F1A-C0006-ERA060-05K
- PSC360G2-F1A-C0006-ERA060-REK
- PSCI-6PP-05
- C1206C153M5RECAUTO7210
- 1206Y2000820FCT
- C0402X7R500-152KNE
- 1812J2K00220GCT


