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BCD90N03
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：30V, 90A，RDS(ON) < 4.5mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS = 4.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品。应用：负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCD90N03
- 商品编号
- C3874040
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WsF70N10D采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性，适用于逆变器
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用