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BCD4N65
N沟道650V、4A功率MOSFET
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCD4N65
- 商品编号
- C3874041
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSP4067C是一款高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4067C符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值Qg = 12 nC)
- 100%进行非钳位电感开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器