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BCT12N65
N沟道650V、12A功率MOSFET
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCT12N65
- 商品编号
- C3874046
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值 Qg = 41.9 nC)
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
- BCT20N65
- TPS92520QDADRQ1
- PSCI-3PP-05
- PSC360G2-F1A-C0024-ERA120-05K
- PSC360G2-F1A-C0024-ERA120-REK
- PST360G2-1A-C0011-ERA090-REK
- PSC360G2-F1A-C0011-ERA090-REK
- PSC360G2-F1A-C0007-ERA180-REK
- MSC360-1A-C0022-ERA090-05K
- PSC360G2-F1A-C0150-ERA070-REK
- PSC360G2-F1A-C0006-ERA060-05K
- PSC360G2-F1A-C0006-ERA060-REK
- PSCI-6PP-05
- C1206C153M5RECAUTO7210
- 1206Y2000820FCT
- C0402X7R500-152KNE
- 1812J2K00220GCT
- 1812J2500563KXT
- C1206X519B5HAC7800
- 0805N2R7B251CT
- 1210J2K00120KCT