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BCT12N65
N沟道650V、12A功率MOSFET
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCT12N65
- 商品编号
- C3874046
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
STR2N2VH5采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 6.8A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 21mΩ
应用领域
-锂电池保护-无线冲击-手机快充
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