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BCT20N65
N沟道650V、20A功率MOSFET
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- BCT20N65
- 商品编号
- C3874047
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.962nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 极低品质因数（导通电阻RDS(on)乘以栅极电荷Qg）
- 极低开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100%雪崩测试
- 内置ESD二极管
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 电视电源和LED照明电源
- 交流转直流转换器
- 电信
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