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MOT10P03D
P沟道MOSFET
- 描述
- 特性：表面贴装封装。 先进的沟槽单元设计。应用：LCD电视电器。 LCDM电器
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT10P03D
- 商品编号
- C42401881
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进沟槽单元设计
应用领域
- 液晶电视电器
- 液晶监视器电器
- 高功率逆变器系统