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MOT1124T
N沟道MOSFET，100V、2.2mΩ、246A
- 描述
- 特性：使用先进的双沟槽技术。 低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.4mΩ）。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT1124T
- 商品编号
- C42401891
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.934克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 246A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 284pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.9nF |
商品概述
硅N沟道增强型MOSFET采用先进的MOSFET技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 采用MOT先进双沟槽技术
- 低导通电阻(RDS(on)≤2.4mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-电机控制与驱动-同步整流-开关应用