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PJMG10P60SQ
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道，VDS=-60V ID=-10A ,PD:1.5W RDS(ON)<75mΩ@Vgs=-10V,
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG10P60SQ
- 商品编号
- C42388541
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -50 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装优良，散热性能好。